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先給你一個小建議,英文論文如果有不懂,可以查reference. 其他的paper可能可以幫助你理解!!你這份論文,不是我的專長,所以可能翻得不是很好. 或是你如果能把整份paper都給我,有上下文 比較容易理解.
由於電容類的FeRAMs技術和DRAM 非常相似甚至不需要改變任何儀器,使得他容易整合. 由於需要鋁為基底的支撐物互相連結而且接過高溫的鐵電退火會造成W的衰退.所以FeRAM電容必須低溫處理.傳統而言,由於鐵電材料如PZT和SBT需要高溫回火來長晶形成鐵電相,所以鐵電電容在CMOS製程前就已經完成.然而電漿及含氫的氣氛(例如形成氣相退火或是CMOS連結製程中所使用的鎢-化學氣相沉積法)都會破壞到鐵電電容並且會降低FeRAM殘留的極性.
我知道英文期刊和論文很難念啦.但多念幾篇就懂了.加油唷~~
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